三星宣布已向全球客户交付新一代HBM4内存样品，预计将在2026年实现量产。三星在刚刚公布的2025年第三季度业绩报告中证实，目前HBM3E已经进入批量生产阶段并销售给相关客户，同时HBM4样品也已同步发往关键客户。三星表示，其存储业务依旧表现强劲，先进内存产品市场需求旺盛。
此外，三星还透露，2026年其晶圆代工业务将致力于稳定供给新型2纳米GAA产品与HBM4基础芯片，并计划在美国德克萨斯州泰勒市的新工厂按时投入运营。
HBM堆栈由最多12层堆叠的DRAM芯片组成，并通过硅通孔（TSV）相连，其中可选嵌入基础芯片，提供定制逻辑或加速电路以满足特殊需求。通常，大客户如NVIDIA和AMD会因采购量大而要求定制功能，虽然这些芯片不一定具备强大的计算能力，但可通过数据处理与逻辑芯片提升数据包传输效率、降低延迟、增强推理阶段的性能，使吞吐量实现明显提升。
根据报道，三星HBM4是否会超越JEDEC标准以满足NVIDIA等公司的需求，目前尚不明朗。例如，美光（Micron）已跳过JEDEC规格，将HBM4的带宽从标准的2 TB/s和每针8 Gb/s提升到11 Gb/s，总带宽提升至2.8 TB/s，较标准高出40%。因此，预计三星也将不断优化其HBM4，以在带宽等方面保持市场竞争力，更好地满足大客户需求。